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SPD04P10P G /MOSFET P-Ch -100V -4A DPAK-2
SPD04P10P G的规格信息
SPD04P10P G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:4 A

Rds On-漏源导通电阻:644 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:12 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:38 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:SIPMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.3 mm

长度:6.5 mm

系列:SPD04P10

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:6.22 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:1.2 S

下降时间:4.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:8.6 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:14 ns

典型接通延迟时间:5.7 ns

零件号别名:SP000212230 SPD04P10PGBTMA1 SPD4P1PGXT

单位重量:4 g

供应商SPD04P10P G
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深圳市天卓伟业电子有限公司SPD04P10P G深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
17302670049		陈敏Email:3004201508@qq.com询价
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现代芯城（深圳）科技有限公司SPD04P10P Gwww.nowchip.com0755-27381274
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现代芯城（深圳）科技有限公司SPD04P10P G深圳市福田区八卦三路八卦岭工业区424栋4楼410房0755-82542579
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		SPD04P10P GInfineonFET - 单 SIPMOS® 分立半导体产品 半导体 MOSFET P-CH 100V 4A2500+:￥2.41
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Mouser 贸泽电子		SPD04P10P GInfineon TechnologiesMOSFET P-Ch -100V -4A DPAK-21:¥5.8421
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100:¥3.164
1,000:¥2.5312
2,500:¥2.1357
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Mouser 贸泽电子		SPD04P10P GInfineonFET - 单 SIPMOS® 分立半导体产品 半导体 MOSFET P-CH 100V 4A2500+:￥2.411+:￥5.28
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100+:￥2.6501
1000+:￥2.46
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